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    創(chuàng)見推出microSD存儲卡新品 pSLC緩存技術加持

    老牌存儲廠商創(chuàng)見(Teanscend)剛剛推出了 USD230I 系列 microSD 存儲卡新品,通過 SLC 緩存模擬方案,其能夠大幅提升突發(fā)寫入速度。官方給出的最高數據傳輸速率為 100 MB/s,隨機讀寫也高達 3.4k IOPS,較市面上的普通模式競品有明顯的性能優(yōu)勢。

    創(chuàng)見推出microSD存儲卡新品 pSLC緩存技術加持

    容量方面,創(chuàng)見 USD230I 系列可選 8GB / 16GB / 32GB / 64GB 的型號。卡片符合 A1 和 V30 認證、寫速保底 30MB/s,足以支撐4K視頻錄制和安裝谷歌 Android 應用程序。

    其實早在 2017 年初,SD 存儲協(xié)會就已經引入了 Pseudo-SLC 緩存機制。對于創(chuàng)見的 USD230I 來說,由于其使用了 3D TLC 閃存,因此 pSLC 緩存機制能夠有效提升其性能表現。

    遺憾的是,廠商并未透露確切的 pSLC 緩存的大小。耐用性方面,8GB 版本為 36 TBW、16 / 32GB 版本為 70 TBW、64GB 版本則是 140 TBW 。

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