老牌存儲廠商創(chuàng)見(Teanscend)剛剛推出了 USD230I 系列 microSD 存儲卡新品，通過 SLC 緩存模擬方案，其能夠大幅提升突發(fā)寫入速度。官方給出的最高數(shù)據(jù)傳輸速率為 100 MB/s，隨機讀寫也高達(dá) 3.4k IOPS，較市面上的普通模式競品有明顯的性能優(yōu)勢。

容量方面，創(chuàng)見 USD230I 系列可選 8GB / 16GB / 32GB / 64GB 的型號?？ㄆ?A1 和 V30 認(rèn)證、寫速保底 30MB/s，足以支撐4K視頻錄制和安裝谷歌 Android 應(yīng)用程序。

其實早在 2017 年初，SD 存儲協(xié)會就已經(jīng)引入了 Pseudo-SLC 緩存機制。對于創(chuàng)見的 USD230I 來說，由于其使用了 3D TLC 閃存，因此 pSLC 緩存機制能夠有效提升其性能表現(xiàn)。

遺憾的是，廠商并未透露確切的 pSLC 緩存的大小。耐用性方面，8GB 版本為 36 TBW、16 / 32GB 版本為 70 TBW、64GB 版本則是 140 TBW 。