DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來，至今已經(jīng)走過了9個(gè)年頭， DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范在2012年9月底正式公布，在2014年Intel的Haswell-E處理器及X99平臺(tái)，率先為桌面平臺(tái)帶來了原生DDR4內(nèi)存支持，2015年的Intel Skylake平臺(tái)主要支持DDR4，DDR4的普及已成趨勢(shì)。

skylake平臺(tái)

  DDR4和DDR3內(nèi)存有什么不同？如今DDR4開始大肆進(jìn)入我們的視野，相比于DDR3， DDR4在外觀、性能、功耗幾個(gè)部分有明顯的變化。

  1、DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，防呆口更為靠近中央。

  2、DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz。

  3、DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低。

  4、DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB。

外觀變化：

  一直一來，內(nèi)存的金手指都是直線型的，而DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，確保信號(hào)傳輸穩(wěn)定，同時(shí)中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存，也可以解決DDR3內(nèi)存難以拔出和難以插入的情況。

  另外，金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。

頻率和帶寬提升巨大

  DDR4最重要的變化當(dāng)然是提高頻率和帶寬。在DDR3時(shí)代傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，并且可以達(dá)到4266MHz。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

更低功耗更低電壓

  DDR4內(nèi)存采用了溫度補(bǔ)償自刷新（主要用于降低存儲(chǔ)芯片在自刷新時(shí)消耗的功率)、數(shù)據(jù)總線倒置（用于降低VDDQ電流，降低切換操作）等新技術(shù)。這些技術(shù)能夠降低DDR4內(nèi)存在使用中的功耗。目前DDR4使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V。而隨著工藝進(jìn)步、電壓降低以及聯(lián)合使用多種功耗控制技術(shù)的情況下，DDR4的功耗表現(xiàn)將是非常出色的。

容量劇增最高可達(dá)128GB

  3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到DDR3產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量?jī)?nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。

  DDR4相比DDR3提升了頻率和帶寬等一系列硬件參數(shù)，在提升性能的同時(shí)降低了能耗，為移動(dòng)設(shè)備提供了更好的支持，在intel新的平臺(tái)的支持和推動(dòng)下，DDR4的應(yīng)用場(chǎng)景也變得更加廣闊。如今阻止DDR4普及的也就只剩下價(jià)格方面了，但隨著時(shí)間的推移DDR4遲早也會(huì)像DDR3一樣來到各位用戶的身邊。