8 月 26 日消息 據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案(DS)業(yè)務(wù)部首席技術(shù)官 Jeong Eun-seung 宣布，作為下一代代工微制造工藝的核心，全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around，GAA)技術(shù)將盡早實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

　　Jeong 在 8 月 25 日在線舉行的三星技術(shù)與職業(yè)論壇上發(fā)表主題演講時(shí)說(shuō)：“我們正在領(lǐng)先于我們的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(臺(tái)積電)開發(fā) GAA 技術(shù)，如果我們攻克這項(xiàng)技術(shù)，我們的代工業(yè)務(wù)將能夠進(jìn)一步發(fā)展。”該論壇是由三星電子的 DS 業(yè)務(wù)部創(chuàng)建的，旨在吸引全球工程師。

　　GAA 被認(rèn)為是 3 納米工藝的一個(gè)關(guān)鍵部分，在不久的將來(lái)將被全球頂級(jí)代工企業(yè)采用。其關(guān)鍵是將在半導(dǎo)體內(nèi)部充當(dāng)“電流開關(guān)”的晶體管的結(jié)構(gòu)從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。據(jù)三星電子稱，2019 年其與客戶進(jìn)行的 3 納米 GAA 工藝設(shè)計(jì)套件測(cè)試顯示，GAA 技術(shù)將芯片面積削減了 45%，并將電源效率提升了 50%。

　　業(yè)內(nèi)分析人士表示，誰(shuí)會(huì)首先將 GAA 技術(shù)商業(yè)化還是未知數(shù)，這是因?yàn)榕_(tái)積電也在積極地將該技術(shù)提前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利的 31.4% 來(lái)自臺(tái)積電，三星電子的專利占 20.6%。

　　三星電子表示，其在技術(shù)方面與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)不相上下，Jeong 說(shuō)，“三星在 2017 年開始了代工業(yè)務(wù)，但我們將憑借在內(nèi)存半導(dǎo)體方面的專有技術(shù)超越臺(tái)積電，”他舉例說(shuō)，三星電子比臺(tái)積電更早開發(fā)了裝載 FinFET 技術(shù)的 14MHz 產(chǎn)品。

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