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    華虹半導(dǎo)體宣布量產(chǎn)90nm BCD工藝:性能高、核心面積小

      國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商正在一步步追趕國(guó)際先進(jìn)水平,日前華虹半導(dǎo)體宣布,該公司推出的90nm BCD工藝已經(jīng)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

      華虹指出,90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優(yōu)勢(shì),擁有更佳的電性參數(shù),并且得益于12英寸制程的穩(wěn)定性,良率優(yōu)異,為數(shù)字電源、數(shù)字音頻功放等芯片應(yīng)用提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的制造方案。

      90nm BCD工藝還是先進(jìn)工藝?對(duì)不了解半導(dǎo)體工藝的人來(lái)說(shuō)可能真有這個(gè)疑問(wèn),這個(gè)新工藝的重點(diǎn)是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS,是ST意法半導(dǎo)體在80年代發(fā)明的功率芯片技術(shù)。

      BCD是一種復(fù)雜的硅芯片制造工藝,每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),包括用于高精度處理模擬信號(hào)的雙極晶體管,用于設(shè)計(jì)數(shù)字控制電路的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和用于開(kāi)發(fā)電源和高壓開(kāi)關(guān)器件的DMOS(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)。

      ST意法目前依然是全球領(lǐng)先的BCD工藝制造商,35年來(lái)生產(chǎn)了500萬(wàn)片晶圓,售出400億顆芯片,僅2020年就售出近30億顆芯片,工藝發(fā)展了十代了,此前主要是350nm、180nm、110nm等,最新量產(chǎn)的十代工藝也是90nm BCD。

      從這一點(diǎn)上來(lái)看,華虹的90nm BCD工藝確實(shí)是該領(lǐng)域的先進(jìn)工藝,技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯,而中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)其他代工廠也在開(kāi)發(fā)90nm BCD工藝,華虹的進(jìn)度也是領(lǐng)先的。

    華虹半導(dǎo)體宣布量產(chǎn)90nm BCD工藝:性能高、核心面積小

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